แยน โซชคราลสกี้ (Jan Czochralski)
ผู้ค้นพบกระบวนการ Czochralski process
แยน เกิดเมื่อวันที่ 23 ตุลาคม 1885 ในเมืองคูเนีย (Kcynia, Paluki) ขณะนั้นเป็นดินแดนของปรัสเซีย ครอบครัวของเขาเป็นคนเชื้อสายโปแลนด์ พ่อของเขาเป็นช่างไม้ชื่อฟรานซิสเซค (Franciszek Czochralski) และแม่ชื่อมาร์ท้า (Marta Suchomskich)
แยนจบการศึกษาจากวิทยาลัยครูในคูเนีย ตามความต้องการของบิดา หลังจากเรียนจบเขาได้เดินทางไปอยู่ใน Krotoszyn และได้ทำงานในร้านขายยา
1904 ย้ายไปอยู่ในเบอร์ลิน และได้ทำงานในร้านขายยาของ ดร.เอ. เฮอร์แบรนด์ (Dr. A. Her-brand) ในเขต Altglienicke
ต่อมาเขาได้มีโอกาสทำงานในห้องปฏิบัติการของ Kunheim and Co. ใน Niederschoenweide เป็นช่วงเวลาสั้นๆ และต่อมาก็ได้ทำงานที่บริษัท AEG (Allgemeine Elektrizitaets Gesellschaft) และที่บริษัท KWO (Kabelwerk Oberspree) บริษัทซึ่งผลิตสายเคเบิ้ลและสายไฟฟ้า งานของแยนคือการอยู่ในห้องปฏิบัติการเพื่อตรวจสอบคุณภาพของสายไฟ
ระหว่างนี้เขาใช้เวลาว่างเข้าฟังเลคเชอร์ในวิชาเคมีที่มหาวิทยาลัยโพลีเทคนิคชารล๊อตเตนบูร์ก (Charlottenburg Polytechnic)
1910 เขาได้รับตำแหน่งเป็นวิศกรเคมี และได้ทำงานเป็นผู้ช่วยของวิชาร์ด โมลเลนดอร์ฟฟ (Wichard von Moellendorff)
1916 แยนค้นพบกระบวนการ Czochoralski process โดยบังเอิญ แทนที่จะจุ่มปากกาลงไปในขวดน้ำหมึกเขากลับจุ่มปากกาลงไปในถ้วยเซรามิค (crucible) ที่มีดีบุก (tin) หลอมละลายอยู่ และเมื่อดึงปากกาขึ้นมา เขาก็ได้เส้นดีบุกที่ยาวเป็นเส้นเดียวติดกลับมากับปลายปากกา จากการวิเคราะห์ของเขาทำให้เขายืนยันได้ว่าคริสตัลที่เกิดขึ้นเป็นคริสตัลที่เป็นชิ้นเดียวกันทั้งเส้น (monocrystalline) หลังจากนั้นเขาก็ทำการทดลองซ้ำหลายครั้ง
1917 ย้ายมาอยู่ที่แฟรงค์เฟิร์ต และได้านที่ห้องวิจัยของบริษัท Metallbank und Metallurgische Gesellschaft A.G. ซึ่งที่นี่เขาได้พัฒนาและจดสิทธิบัตรผลงานหลายชิ้น สิทธิบัตรที่มีชื่อเสียง เช่น แบริ่งแบบปลอดดีบุกสำหรับรางรถไฟ (tin-free bearing alloy) หรือที่เรียกว่า Metal B ซึ่งจดสิทธิบัตรในปี 1924
1918 เขาตีพิมพ์การค้นพบกระบวนการ Czochoralski processs ลงในวารสาร Zeitschrift für Physikalische Chemie
1919 ร่วมก่อตั้งสมาคมนักวิทยาศาสตร์ด้านโลหะแห่งเยอรมัน (German Society of Metals Sciences) โดยที่ตัวเขานั้นได้รับตำแหน่งประธานในปี 1925
1924 มีผลงานเขียนเรื่อง Modern metal science in theory and practice (Modernę Metallkunde in Theorie und Praxis) และ Bearing metal and its technological evaluation (Lagermetale und ihre technolo-gische Bewertung)
1928 ได้รับคำเชิญจากประธานาธิบดีมอสคิคกิ (Ignacy Moscicki) ให้กลับมาอยู่โปแลนด์ แยนตอบรับ ทำให้เขาย้ายมารับตำแหน่งศาสตร์จารย์ที่ภาควิชาเคมีและโลหะของมหาวิทยาลัยเทคโนโลยีวอร์ซอ (Warsaw University of Technology) และได้รับปริญญาเอกกิตติมาศักดิ์จากมหาวิทยาลัยแห่งนี้
1939 ช่วงก่อนสงครามโลกครั้งที่ 2 , ห้องวิจัยของแยนที่มหาวิทยาลัยถูกใช้เพื่อผลิตชิ้นส่วนอาวุธให้กับกองทัพเยอรมัน ทั้งนี้ทางมหาวิทยาลัยเองยินยอมเพื่อที่จะปกป้องบรรดาอาจารย์และเจ้าหน้าที่ของมหาวิทยาลัย และขณะเดียวกันห้องวิจัยของแยนก็ผลิตช้ินส่วนให้กับกองทัพโปแลนด์ด้วย และแยนยังใช้ความสัมพันธ์กับเยอรมันในการช่วยเหลือชาวยิวและชาวโปแลนด์ 30-50 คนให้ถูกปล่อยตัวออกมาจากค่ายกักกัน แต่ไมวายว่าหลังสงครามแยนถูกเจ้าหน้าที่ของมหาวิทยาลัยหลายคนกล่าวหาว่าเขาเป็นพวกเดียวกับนาซีเยอรมัน
1945 7 เมษายน, แยนถูกจับในข้อหาให้ความช่วยเหลือนาซีเยอรมันช่วงสงครามโลก เขาถูกจำคุกอยู่นานกว่าสี่เดือนที่เรือนจำใน Piotrkow
13 สิงหาคม, ศาลมีคำตัดสินให้เขาพ้นความผิดตามข้อกล่าวหา แต่ว่ามหาวิทยาลัยไม่รับเขากลับเข้าทำงาน แยนจึงได้เดินทางกลับมายังบ้านเกิดของเขาที่เมืองคูเนีย และตั้งโรงงานผลิตยาและเครืองสำอาง BION
1953 22 เมษายน 1953, เสียชีวิตที่โรงพยาบาลในโปซนัน (Poznan) จากอาการหัวใจวาย
เมษายน 1954 , ในสหรัฐฯ กอร์ดอน เทียล (Gordon Teal) และทีมวิจัยของเขา ของบริษัทเท็กซัสอินสตรูเมนท์ (Texus Instrument) ได้สร้างทรานซิสเตอร์จากซิลิคอน (Silicon Transistor) ขึ้นมาเป็นครั้งแรก โดยใช้กระบวนการ Czochralski process ในการเลี้ยงคริสตัลเยอรมันเนียม (Germanium) แต่ว่าภายหลังพบว่าทรานซิสเตอร์จากเยรมันเนียมทนความร้อนที่สูงไม่ได้ จึงมีการใช้ซิลิคอน (Silicon) ที่มีคุณสมบัติคล้ายกันแต่ทนความร้อนได้ดีกว่าในการผลิตแทน ซึ่ง Czocharalski process ยังคงถูกใช้ในการเลี้ยงผลึกคริสตัลในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์มาจนปัจจุบัน